场发射扫描电镜是一种高分辨率扫描电镜,其分辨率在加速电压 30 kV时达0.6 nm，已接近透射电镜的程度。但试样必需浸没于物镜的强磁场中以减少球差的影响，所以试样的尺寸遭到限制，最大为23 mm×6 mm×3 mm。基于场发射扫描电镜的超高分率，其能作各种固态样品外表形貌的二次电子像、反射电子像及图像处置;配有高性能X射线能谱仪，能同时停止样品表层的微区成分的定性、半定量和定量剖析，取得元素的散布图，最高成像分辨率1.5 nm，加速电压0~30 kV，放大倍数0~80万倍，工作间隔1~50mm，倾斜角度7°~45°，X射线能谱分辨率130cV，元素剖析范围为B~U。
蔡司场发射扫描电镜友硕
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场发射扫描电镜普遍应用于资料剖析中，特别是其良好的低压高空间剖析性能和低压下良好的扫描电子像互相分离运用，使扫电镜应用范围得到扩展。场发射扫描电镜的应用范围很广，比方，应用其低压性能好的优点能够停止外表微细节察看与研讨，从而可以得到原子序数衬度像;应用其二次电子成像察看与剖析，能够对小于0.1 nm的细节停止成分的点，线和面剖析;能够对试样在常规钨丝枪不能分辨开的区域停止剖析;能够替代TEM的局部工作;也能够应用 FESEM停止半导体方面的研讨，如半导体资料中晶体缺陷应变场的外形和尺寸缺陷的走向、外表层内的密度、单个缺陷的显微形态、缺陷间的相对取向以及互相作用等等。此外，场发射扫描电镜能够用于检验抛光硅外表氧、碳的玷污，直接观测集成电路中用电子束曝光蚀刻的二氧化硅、氮化硅的亚微米光栅的间距、蚀刻深度及边缘角度等。
蔡司扫描电镜Sigma 系列将场发射扫描电子显微镜 (FE-SEM) 技术与出色的用户体验相结合。构建您的成像和分析程序并提高工作效率。研究新材料、用于质量检验的颗粒或生物或地质标本。在高分辨率成像方面毫不妥协——转向低电压并在 1 kV 或更低电压下受益于增强的分辨率和对比度。使用一流的 EDS 几何结构执行高级分析显微镜，并以两倍的速度和更高的精度获得分析数据。
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