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杨元庆怒拆折叠屏，声称还不如联想三年前的产品，还卖这么贵，对此你怎么看
谢邀！
杨元庆此次的话的确是特别让人反感，虽然说玩概念谁都会联想在三年前大会上发布的概念产品确实是比较惊艳，但问题是没有做到量产，这不跟扯淡一样吗？
目前来说，无论是三星还是华为，确确实实的拿出了折叠屏的产品出来，这才是最重要的，也是让这个所谓的概念第1次落地，我觉得这是一个非常大的进步。
如果真要论概念产品，那么整个智能硬件，玩概念比联想好的多了去了，但问题是要能将概念产品做出来才算的上是本事，我不知道杨元庆是有什么底气来说这一些话，难道是因为刚刚发布的财报盈利吗？
与此同时，让我们从概念回归到现实，三年以来联想在移动端的市场到底做成什么样？难道杨元庆自己心里没数吗？联想这个品牌已经半死不活，甚至要救不回来了，要不是常程耗尽脸面用脸皮死磕，联想这个品牌能够重新回到大众的视野吗？
此之外在发布的财报中，虽然联想确实是盈利了，但问题是亏损的那部分连杨元庆没有注意吗？那恰恰就是移动端的市场。除此之外收购了摩托罗拉以及摩托罗拉实验室这么多年以来，概念倒是玩的6，但真正做出来的产品没有几个惊艳的，除了模块化这个可用可不用的系列，简直就是鸡肋产品食之无味弃之可惜。
将联想的移动端指挥成这样，杨元庆到底有什么资格来说话呢？一手好牌被自己打的稀巴烂，还有脸来嘲笑别人的创新，我个人是觉得杨元庆这个人我太佩服了。
而面对折叠屏我们一定要有一个开放的态度，虽然目前来说折叠屏确实是没有什么卵用，这是大家的共识，但并不代表折叠屏技术在未来没有应用的场地，任何一项新技术的诞生，面临的都将是一顿的嘲笑和讽刺，就像当年火车发明的时候一群骑着马的人，嘲笑着冒着黑烟跑得慢的火车。
同样对于创新的态度，我们要值得肯定，毕竟，没有创新的话，只有供应链体系，那还有什么发展呢？就比如联想，坐拥着成熟的供应链体系，将PC市场做到老大了又能怎么样？PC端市场这也是个夕阳市场，已经是毋庸置疑了，那么在移动端互联网全面到来的时候，联想又拿得出什么呢？
中兴不能用美国芯片，那可以转用别的吗
中兴被美国禁售，不仅芯片不能用别家，连安卓系统，处理器都不能用了，而根本没有可替代的产品，所以中兴的业务一度停摆，直到付了10亿美金罚款后中兴才算可以正式运营。
一、美国限制了中兴哪些不能用美国产品？
美国的禁令不止是芯片，制裁范围非常广，所有的在美国注册的公司和主要在美国运营的公司都受到这个制裁的影响，所以，谷歌的安卓系统，ibm的企业服务，intel的处理器，还有美国的知识产权中兴都不能用了。
失去对安卓的使用权和高通芯片对中兴将是巨大打击，而且根本就没有操作系统可以替代。
二、中心对美国的依赖
中兴每年销售约4500万部智能手机，50%是高通芯片，而且中兴在美国市场份额为11.2%，排名仅次于苹果，三星，lg，所以不管硬件还是市场，中兴都依赖于美国市场。
中兴通讯近8万员工每个月工资开支就是10亿以上，所以中兴就业务停滞了。
三、没有替代产品是中兴的困局
中国芯片太落后了，国产芯片根本不行，比如有华为海思，但是比起美国还差的很远，芯片门槛最高的板块是RRU基站，短时间内根本没有替代产品。
你觉得华为会受美国制裁影响吗？
关于兵马俑的诗词都有什么
《一首》
可怜汗血铁衣透。 知否助姬还助讨。
什九捐生责任孰尸。万一还家岂天佑。
《二首》
死去依然大帝皇。阴间列阵凛冰霜。
秦公终今存尸术。徒羡阳兵护冢堂。
《三首》
低徊佣阵感难禁。又见当年剑戟林。
心情每忆车前鉴。影事宁忘座右箴。
《四首》
戎衣有国古无伦。遗迹荒邱事岂真？
地下军营惊海宇。关中兵燹忆烟尘。
中国的光刻机技术和荷兰的光刻机技术，关键点的区别到底在哪
中国的光刻技术和荷兰ASML的EUV光刻技术，关键点的区别在于采用紫外光源的不同和光源能量控制。
一、中国光刻技术采用193nm深紫外光源，荷兰ASML的EUV采用13.5nm极紫外光源。
光刻是制程芯片最关键技术，制程芯片过程几乎离不开光刻技术。但光刻技术的核心是光源，光源的波长决定了光刻技术的工艺能力。
我国光刻技术采用193nm波长的深紫外光源，即将准分子深紫外光源的波长缩小到ArF的193nm。它可实现最高工艺节点是65nm，如采用浸入式技术可将光源缩小至134nm。为提高分辨率采取NA相移掩模技术还可推进到28nm。
到了28nm以后、由于单次曝光的图形间距无法进一步提升，所以广泛使用多次曝光和刻蚀的方法来求得更致密的电子线路图形。
荷兰ASML的EUV光刻技术，采用是美国研发提供的13.5nm极紫外光源为工作波长的投影光刻技术。是用准分子激光照射在锡等靶材上激发出13.5nm光子作为光刻技术的光源。
极紫外光源是传统光刻技术向更短波长的合理延伸，被行业赋予了拯救摩尔定律的使命。
当今的ASML的EUV光刻技术，巳能用13.5nm极紫外光制程7nm甚至5nm以下芯片。而我国还是采用193nm深紫外源光刻技术，如上海微电子28nm工艺即是如此。
虽然我们采用DUV光刻技术通过多重曝光和刻蚀方法提升制程工艺，但成本巨大、良率较低、难以商业化量产。所以光源的不同导致光刻技术的重大区别。
二、在光刻技术的光源能量精准控制上，我国光刻技术与荷兰的EUV也有重大区别。
光刻技术的光学系统极其复杂，要减小误差达到高精度要求，光源的计量和控制非常重要。它可通过透镜曝光的补偿参数决定光刻的分辨率和套刻精度。
光刻技术的分辨率代表能清晰投影最小图像的能力，和光源波长有着密切关係。在光源波长不变情况下，NA数值孔径大小直接决定光刻技术的分辨率和工艺节点。
我国在精密加工透镜技术上无法与ASML采用的德国蔡司镜头相比，所以光刻技术分辨率难以大幅提高。
套刻精度是光刻技术非常重要的技术指标，是指前后两道工序、不同镜头之间彼此图形对准精度。如果对准偏差、图形就产生误差，产品良率就小。
所以需不断调整透镜曝光补偿参数和光源计量进行控制，达到满意的光刻效果。我国除缺少精密加工透镜的技术外，在光源控制、透镜曝光参数调整上也是缺乏相关技术的。
我国在5G时代、大数据和人工智能都要用到高端芯片，离不开顶尖的光刻技术，这是必须要攀登的“高峰”。相信我国刻苦研发后能掌握先进的光刻技术和设备，制程生产自己所需的各种高端芯片。
